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    电子书PDF“失真射频功率放大器”

     

    内容
    致谢IX
    第1章介绍1
    1.1动机................................................ .................... 1
    1.2历史视角............................................... .... 2
    1.3线性化和记忆效应............................... 3
    书的主要内容1.4 ......................................... 4 ..
    1.5大纲的书............................................. ....... 6 ..
    参考文献................................................. .................................. 8
    章一些电路2理论及术语9的
    2.1电气系统分类........................... 10
    2.1.1线性系统和内存............................ 10
    2.1.2非线性系统........................................... 13
    非线性2.1.3共同措施.................. 15
    2.2计算非线性系统的频谱............. 18
    2.3记忆频谱再生.................................. 21
    2.4信号带宽取决于非线性效应......... 25
    非线性系统的2.5分析................................... 27
    2.5.1的沃尔泰拉系列分析................................... 28
    2.5.2直接计算非线性响应...... 30
    2.5.3两个Volterra模型的方法................ 34

    2.6摘要................................................ .................... 39
    2.7需要记住的要点............................................ 41
    参考文献................................................. ................................ 41
    的章3记忆效应在射频功率放大器43
    3.1效率................................................ ................... 43
    3.2线性................................................ .............. 45
    3.2.1线性化与效率............................ 45
    3.2.2线性化技术................................. 46
    3.2.3线性化和记忆效应................... 48
    3.3电气记忆效应.......................................... 51
    3.4电热记忆效应.................................. 56
    3.5幅度域影响......................................... 59
    3.5.1第五阶次分析无记忆效应60
    3.5.2第五阶分析记忆效应...... 62
    3.6摘要................................................ .................... 66
    3.7需要记住的要点............................................ 67
    参考文献................................................. ................................ 68
    4的Volterra模型71的章
    4.1非线性建模............................................... .... 71
    4.1.1非线性仿真模型........................... 72
    4.1.2 Volterra模型的性质............. 75
    4.2的非线性IV和QV特性...................... 77
    4.2.1 IC - VBE-VCE特性................................ 78
    4.2.2 GPI和RBB .............................................. .......... 82
    4.2.3电容模型......................................... 82
    4.3型号的共发射极BJT / HBT放大器..... 84
    4.3.1线性分析............................................... 。 84
    4.3.2非线性分析........................................... 87
    4.4 IM3 BJT的CE放大器........................................ 95
    4.4.1 BJT级联两个非线性块..... 95
    4.4.2详细的BJT分析.................................... 102
    4.5 MESFET模型与分析.................................. 109
    4.6摘要................................................ .................. 115
    4.7需要记住的要点.......................................... 117

    参考文献................................................. .............................. 118

    目录vii
    第5章表征Volterra模型123的
    5.1多项式拟合模型....................................... 124
    5.1.1精确LMSE拟合................................. 124
    拟合范围的5.1.2效应................................. 126
    5.2自热效应............................................. .... 127
    5.2.1脉冲测量..................................... 129
    5.2.2的热工作点................................ 131
    5.3直流IV特性.......................................... 133
    5.3.1脉冲直流测量设置...................... 133
    5.3.2配件IV测量.............................. 134
    5.4交流表征流量........................................ 136
    5.5脉冲S参数测量........................... 137
    5.5.1测试设置............................................... ....... 137
    5.5.2校准................................................ ..... 139
    5.6去嵌入包装的影响................ 140
    5.6.1全4端口去嵌入.............................. 141
    5.6.2嵌入纯焊线的.............. 143
    5.7小信号参数的计算................... 145
    5.8拟合AC测量................................... 147
    的5.8.1拟合非线性电容.................. 147
    5.8.2配件的汲极电流的非线性.......... 149
    5.9非线性模型的一个-W 1的BJT ................................ 152
    5.10非线性模型的一个-W 1的MESFET ........................ 155
    5.11非线性模型的一个-W 30的LDMOS ....................... 160
    5.12摘要................................................ .................. 165
    5.13需要记住的要点.......................................... 166
    参考文献................................................. .............................. 167
    章6的模拟和测量记忆效应171
    6.1模拟记忆效应...................................... 172
    的6.1.1正常化IM3组件................ 172
    模拟6.1.2归IM3组件.. 175
    6.2测量记忆效应................................ 180
    6.2.1测试设置和校准............................. 181
    6.2.2测量精度.................................. 184
    的记忆效应6.2.3在一个BJT PA ......................... 185
    6.2.4记忆效应MESFET PA ............... 187
    6.3记忆效应和线性........................... 187
    6.4摘要................................................ .................. 190

    6.5需要记住的要点.......................................... 191
    参考文献................................................. .............................. 192
    章7取消记忆效应193
    7.1包络滤波............................................... ..... 194
    7.2阻抗优化.......................................... 198
    7.2.1有源负载原理.................................... 199
    7.2.2测试设置和校准........................ 202
    在信封频率7.2.3最佳ZBB
    无预失真.................................. 203
    在信封频率7.2.4最佳ZBB
    预失真........................................ 204
    信封7.3注射液............................................... .... 207
    7.3.1取消在记忆效应
    CE BJT放大器........................................ 209
    7.3.2取消在记忆效应
    CS MESFET放大器............................... 211
    7.4摘要................................................ .................. 217
    7.5需要记住的要点.......................................... 219
    参考文献................................................. .............................. 220
    附录A:基本的沃尔泰拉分析221
    参考................................................. ............................... 225
    附录B:截断误差227的。
    附录的C:IM3方程级联二度
    非线性231
    附录D:关于测量设置245
    参考................................................. ............................... 247
    词汇表249
    关于作者253中
    指数255

    / uploadfile / 200812的/ 3的/ 1112211065.rar的

     

     

     

     

     

     

    多远(长)发射机盖?

    传输范围取决于许多因素。 真正的距离是基于该天线安装高度,天线增益,使用环境像建筑物和其他障碍物,接收机的灵敏度,接收机的天线。 安装天线更高,并使用在农村,距离将更为深远。

    实例5W FM发射器在城市和家乡使用:

    我有GP天线的美国客户使用5W调频发射器在他的家乡,他与汽车进行测试,它涵盖10km(6.21mile)。

    我测试与GP天线5W FM发射器在我的家乡,它覆盖约2km(1.24mile)。

    我测试在广州市GP天线5W FM发射,它覆盖大约只有300meter(984ft)。

    下面是不同的功率调频发射机的大致范围。 (范围为直径)

    0.1W〜5W FM发射器:100M〜1KM

    5W〜15W FM Ttransmitter:1KM〜3KM

    15W〜80W FM发射器:3KM〜10KM

    80W〜500W FM发射器:10KM〜30KM

    500W〜1000W FM发射器:30KM〜50KM

    1KW〜2KW FM发射器:50KM〜100KM

    2KW〜5KW FM发射器:100KM〜150KM

    5KW〜10KW FM发射器:150KM〜200KM

    如何联系我们的发射器?

    叫我+ 8618078869184或
    给我发电子邮件 [电子邮件保护]
    1.How远远要在直径覆盖?
    2.How高大的塔你?
    3.Where你从哪里来?
    我们会给你更多专业意见。

    关于我们

    FMUSER.ORG是一家专注于射频无线传输/录音室视频音频设备/流媒体和数据处理的系统集成公司。我们提供从建议和咨询到机架集成到安装,调试和培训的所有方面。
     
    我们提供调频发射器,模拟电视发射器,数字电视发射器,甚高频UHF发射器,天线,同轴电缆连接器,STL,空中处理,工作室广播产品,射频信号监测,RDS编码器,音频处理器和远程现场控制单元, IPTV产品,视频/音频编码器/解码器,旨在满足大型国际广播网络和小型私人电台的需求。
     
    我们的解决方案包括FM广播电台/模拟电视台/数字电视台/音频视频演播室设备/演播室发射机链接/发射机遥测系统/酒店电视系统/ IPTV直播/流直播/电视会议/ CATV广播系统。
     
    我们正在为所有系统使用先进技术产品,因为我们知道高可靠性和高性能对系统和解决方案非常重要。 同时我们还必须确保我们的产品系统具有非常合理的价格。
     
    我们拥有公共和商业广播公司,电信运营商和监管机构的客户,我们还为数百家小型,本地和社区广播公司提供解决方案和产品。
     
    FMUSER.ORG的出口已超过15年,并在世界各地拥有客户。 在这一领域拥有13年的经验,我们拥有一支专业的团队来解决客户的各种问题。 我们致力于提供极为合理的专业产品和服务价格。
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    目前,已经有 客户1095 世界各地的参观了我们的广州天河办事处。 如果你来到中国,欢迎您光临惠顾。

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    这是我们在2012环球资源参与 香港电子展 . 来自世界各地的客户 终于有机会走到一起。

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      名字/名字:迎风
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