DDR2是什么意思

DDR2 (Double Data Rate 2) SDRAM 是由 JEDEC（联合电子设备工程委员会）开发的新一代存储器技术标准。它与上一代DDR内存技术标准最大的区别在于，虽然同样采用上升时钟/下降延迟同时传输数据的基本方式，但DDR2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍（即：4 位数据读取预取）。也就是说，DDR2内存每时钟可以以4倍于外部总线的速度读写数据，并且可以以4倍于内部控制总线的速度运行。

一、基本原则：

与DDR相比，DDR2的主要改进在于，在内存模块速度相同的情况下，它可以提供两倍于DDR内存的带宽。这主要是通过在每个设备上有效使用两个 DRAM 内核来实现的。相比之下，DDR 内存只能在每个设备上使用一个 DRAM 内核。从技术上讲，DDR2 内存上仍然只有一个 DRAM 内核，但它可以并行访问，每次访问处理 4 个数据而不是两个。

结合双速运行的数据缓冲器，DDR2内存每个时钟周期最多可以处理4位数据，是传统DDR内存可以处理的2位数据的两倍。 DDR2内存的另一个改进是它采用FBGA封装，而不是传统的TSOP方式。

然而，虽然DDR2内存使用与DDR相同的DRAM核心速度，但由于DDR2的物理规格与DDR不兼容，我们仍然需要使用新的主板来匹配DDR2内存。首先，界面不同。 DDR2 有 240 个引脚，而 DDR 内存有 184 个引脚。其次，DDR2内存的VDIMM电压是1.8V，这也和DDR内存的2.5V不同。

另外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存都采用FBGA封装，与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电性能和散热，是一款稳定的DDR2内存。未来频率的工作和发展提供了坚实的基础。回顾DDR的发展历程，从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑，再到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展已经到了技术的极限，已经难以提升通过常规方法记忆。随着英特尔最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求越来越高，工作频率更高、更稳定的DDR2内存将是大势所趋。

在了解DDR2内存的诸多新技术之前，我们先来看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1) 延迟问题:

从上表可以看出，在相同的核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这是因为 DDR2 内存的 4BIT 预读能力是标准 DDR 内存的两倍。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，采用了与时钟上升延迟和下降延迟同时进行数据传输的基本方式，但DDR2预读系统命令数据的能力是DDR的两倍。也就是说，在同样的100MHz工作频率下，DDR的实际频率是200MHz，而DDR2可以达到400MHz。

这样，就会出现另一个问题：在具有相同工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存等待时间比前者要慢。例如，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有两倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，均为3.2GB / s，但是DDR400的核心工作频率为200MHz，而DDR2-400的核心工作频率为100MHz，这意味着DDR2的延迟。 -400高于DDR400。

2) 封装和发热:

DDR2内存技术的最大突破实际上并不是用户认为DDR的传输容量是两倍，而是具有更低的发热量和更低的功耗，DDR2可以实现更快的频率增加和突破。标准DDR的400MHZ限制。

DDR 内存通常封装在 TSOP 芯片中。该封装可以在 200MHz 下很好地工作。当频率较高时，其长引脚会产生高阻抗和寄生电容，从而影响其性能。稳定性和频率的难度增加。这也是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存采用FBGA封装形式。与目前广泛使用的TSOP封装不同，FBGA封装提供了更好的电气性能和散热性能，为DDR2内存的稳定运行和未来频率的发展提供了很好的保障。

DDR2内存使用1.8V电压，该电压远低于DDR标准的2.5V，从而显着降低了功耗并减少了发热量。此更改意义重大。

2、DDR2采用的新技术：

除了上述差异之外，DDR2还引入了三种新技术，它们是OCD，ODT和Post CAS。

强迫症 (Off-Chip Driver)：这就是所谓的离线驱动调整。 DDR II 可以通过 OCD 提高信号完整性。 DDR II 调整上拉/下拉电阻值，使两个电压相等。使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号完整性；通过控制电压来提高信号质量。

ODT：ODT 是内置内核的终端电阻。我们知道，使用DDR SDRAM的主板上需要大量的终端电阻，以防止信号在数据线终端反射。大大增加了主板的制造成本。事实上，不同的内存模块对端接电路有不同的要求。终端电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率。如果终端电阻小，数据线信号反射低，但信噪比也低；如果终端电阻高，数据线的信噪比会高，但信号反射也会增加。因此，主板上的终端电阻不能很好地匹配内存模块，在一定程度上会影响信号质量。 DDR2 可以根据自身的特性内置合适的终端电阻，以保证最佳的信号波形。使用DDR2不仅可以降低主板成本，还能获得最佳的信号质量，这是DDR无法比拟的。

后CAS：设置为提高DDR II内存的使用效率。在Post CAS操作中，CAS信号（读/写/命令）可以在RAS信号后一个时钟周期插入，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后保持有效。原来的tRCD（RAS to CAS and delay）被AL（Additive Latency）代替，可以设置为0、1、2、3、4。由于CAS信号放在RAS信号后一个时钟周期，ACT和 CAS 信号永远不会发生冲突。

通常，DDR2使用许多新技术来改善DDR的许多缺点。尽管目前在高成本和低延迟方面存在许多缺点，但是可以相信，随着技术的不断改进和完善，这些问题最终将得到解决。。