DDR2和DDR之间的区别

在相同的核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这是由于DDR2内存具有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力的事实。换句话说，尽管DDR2与DDR一样，在时钟上升延迟和下降延迟同时使用基本的数据传输方法，但是DDR2具有DDR预先读取系统命令数据的能力的两倍。换句话说，在相同的100MHz工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2可以达到400MHz。

这样，就会出现另一个问题：在具有相同工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存等待时间比前者要慢。例如，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有两倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，均为3.2GB / s，但是DDR400的核心工作频率为200MHz，而DDR2-400的核心工作频率为100MHz，这意味着DDR2的延迟。 -400高于DDR400。

DDR2内存技术的最大突破实际上并不是用户认为DDR的传输容量是两倍，而是具有更低的发热量和更低的功耗，DDR2可以实现更快的频率增加和突破。标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常封装在TSOP芯片中。该封装可以在200MHz下很好地工作。当频率较高时，其长引脚将产生高阻抗和寄生电容，这将影响其性能。稳定性和频率改善的难度。这就是为什么DDR核心频率难以突破275MHZ的原因。 DDR2存储器采用FBGA封装形式。与目前广泛使用的TSOP封装不同，FBGA封装具有更好的电气性能和散热性能，为DDR2存储器的稳定运行和未来频率的发展提供了良好的保证。

DDR2内存使用1.8V电压，该电压远低于DDR标准的2.5V，从而显着降低了功耗并减少了发热量。此更改意义重大。

除了上述差异之外，DDR2还引入了三种新技术，它们是OCD，ODT和Post CAS。

①OCD（片外驱动程序）：这就是所谓的离线驱动程序调整。 DDR II可以通过OCD改善信号完整性。 DDR II调整上拉/下拉电阻值以使两个电压相等。使用OCD通过减小DQ-DQS的倾斜度来改善信号完整性；通过控制电压来改善信号质量。

②ODT：ODT是内置内核的终端电阻。我们知道在使用DDR SDRAM的主板上需要大量的终端电阻，以防止数据线端子反射信号。这大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的存储模块对端接电路有不同的要求。终端电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率。如果终端电阻小，则数据线信号反射低，但信噪比也低；如果终端电阻很高，则数据线的信噪比将很高，但信号反射也会增加。因此，主板上的终端电阻不能很好地匹配内存模块，并且会在一定程度上影响信号质量。 DDR2可以根据自身特性内置合适的终端电阻，以确保最佳信号波形。使用DDR2不仅可以降低主板成本，而且可以获得最佳的信号质量，这是DDR无法比拟的。

③Post CAS：设置为提高DDR II内存的利用率。在Post CAS操作中，可以在RAS信号之后的一个时钟周期插入CAS信号（读/写/命令），并且在附加延迟（附加延迟）之后，CAS命令可以保持有效。原始的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（附加延迟）代替，可以将其设置为0、1、2、3、4。由于CAS信号位于RAS信号之后一个时钟周期，因此ACT CAS信号将永远不会发生碰撞。

总的来说，DDR2使用了很多新技术来改善DDR的很多缺点。虽然目前它在成本高、延迟慢等方面存在诸多不足，但相信随着技术的不断完善和完善，这些问题最终都会得到解决。

DDR2存储器的起始频率将从400Mhz开始，这是DDR存储器的最高标准频率。现在将可以产生的频率定义为支持533Mhz至667Mhz。标准工作频率为200/266 / 333MHz，工作电压为1.8V。 DDR2使用新定义的240 PIN DIMM接口标准，该标准与现有DDR 184PIN DIMM接口标准完全不兼容。这意味着所有现有的具有DDR标准接口的主板都不能使用DDR2内存。这将成为DDR2内存标准普及的主要障碍。幸运的是，INTEL的下一代平台将完全支持240PIN DDR2接口，从而为DDR2在2005年的普及奠定了基础。

相信大家已经看到，市面上已经推出了多款采用DDR2显存的显卡产品。但是，显卡上使用的DDR2内存的生产标准和方法与桌面系统应用上使用的DDR2技术完全不同。本文暂时不做详细区分，但是大家应该清楚为什么大量的应用程序已经在显卡上可用，而桌面系统却没有。

与上一代标准DDR技术相比，DDR2内存技术使用了一种简单明了的方式。尽管DDR2与DDR一样，在时钟上升延迟和下降延迟同时使用基本的数据传输方法，但最大的区别在于DDR2存储器可以执行4位预读取。标准DDR内存的2BIT预读的两倍，这意味着DDR2的容量是预读系统命令数据的两倍。我已经理解了我的想法，因此，DDR2完全获得了DDR两倍的完整数据传输容量。因此，作者告诉您DDR2 400Mhz也被命名为PC3200，请继续阅读，为什么？

DDR2内存技术的最大突破点实际上并不是评委们认为是DDR两倍的传输容量，而是以更低的热量产生和更低的功耗实现了更快的频率增加。突破标准DDR的400MHZ限制。似乎这更神奇，突破了最大频率限制，甚至减少了发热量和功耗？尽管DDR2技术还使用了几种新技术来完成上述功能，但关键在于4BIT的预读取功能。作者将带您一步一步。

除了已发布的三个DDR2内存标准的频率和带宽外，值得注意的是DDR2 400Mhz和DDR400Mhz具有3.2GB的相同带宽。此外，借助双通道内存技术，667MHZ DDR2将提供高达10.6GB / S的惊人带宽！

DDR2内存的初始容量为256MB，最大为512MB，1G。在桌面系统上提供足够的容量保证。从理论上讲，DDR2内存颗粒的高密度功能可以支持最大4G或更高的容量，这在专业领域已得到广泛使用。在未来几年中，它甚至可能为PC系统带来nGB级的超级容量。

DDR2 标准规定所有 DDR2 存储器都采用 FBGA 封装。不同于广泛使用的 TSOP 和d TSOP-II封装，FBGA封装提供了更好的电气性能和散热性能，为DDR2内存的稳定运行和未来频率的发展提供了很好的保障。目前显卡上的DDR2显存颗粒全部采用FBGA封装方式。 DDR2内存使用1.8V电压，远低于DDR标准的2.5V，因此功耗和发热量明显降低。这个变化意义重大，也让DDR2内存更适合笔记本和笔记本。既然能在这么低的电压下工作，那怎么实现频率的提升呢？

众所周知，内存的基本工作步骤分为：从系统中预读取数据→保存在内存单元队列中→传输到内存I / O缓冲区→传输到CPU系统进行处理。

DDR内存使用200MHZ的核心频率，该核心频率通过两条路径同步传输到I / O缓存，这是达到400MHZ的实际频率。

DDR2使用100MHZ的核心频率，该核心频率通过400条传输路径同步传输到I / O缓冲器，并且还达到了XNUMXMHZ的实际频率。

聪明的地方法官已经看到了这个谜。正是因为DDR2可以预读4BIT数据，所以可以使用四路传输，并且因为DDR只能预读2BIT数据，所以它只能使用两条200MHZ传输线来达到400MHZ。这样，DDR2可以在不降低总频率的情况下将核心频率完全降低到100MHZ，因此可以轻松实现更小的散热和更低的电压要求。此外，可以进一步提高核心频率，以达到133 * 4、166 * 4，最大200 * 4即可达到800MHZ。但是，每个人都知道较低的内存延迟可以带来更高的性能。然后，在DDR2中，为了确保4通道传输的稳定性和平滑性并避免电气干扰和数据冲突，使用比DDR稍大的内存。延迟设置。我相信聪明的法官也可以看到这实际上是一个有远见的设计。

在了解了DDR II的技术原理之后，让我们看一下DDR II的三个主要新功能：它们是OCD，ODT和Post CAS。

OCD（片外驱动器），一个lso 称为离线驱动调整，DDR II 可以通过 OCD 提高信号完整性。 DDR II 调整上拉/下拉电阻值，使两个电压相等。即，上拉=下拉。使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号完整性；通过控制电压来提高信号质量。

ODT是内置内核的终端电阻。我们知道在使用DDR I SDRAM的主板上需要大量的端接电阻，每条数据线至少需要一个端接电阻，这对于主板来说并不是一个小数目。在信号线上使用终端电阻是为了防止数据线端子反射信号，因此需要具有一定电阻的终端电阻。该电阻太大或太小。电阻较大的电路的信噪比较高，但信号反射较严重。小电阻可以减少信号反射，但会导致信噪比下降。另外，由于不同的存储模块可能没有完全相同的终端电阻要求，因此主板对存储模块也比较挑剔。

DDR II具有一个内置的终端电阻，当DRAM颗粒工作时，该端子将关闭终端电阻；对于不工作的DRAM颗粒，其将接通终端电阻以减少信号反射。 ODT为DDR II带来了至少两个好处。一是消除了主板上的终端电阻，降低了主板的成本，并使PCB板的设计更加容易。第二个优点是终端电阻器可以匹配存储颗粒的“特性”，从而使DRAM处于最佳状态。

在CAS之后，将其设置为提高DDR II内存的利用率。在Post CAS操作中，可以在RAS信号之后的一个时钟周期插入CAS信号（读/写/命令），并且在附加延迟（附加延迟）之后，CAS命令可以保持有效。原始的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（附加延迟）代替，可以将其设置为0、1、2、3、4。由于CAS信号位于RAS信号之后一个时钟周期，因此ACT CAS信号将永远不会发生碰撞。

正常运行时，此时的各种内存参数为：tRRD=2，tRCD=4，CL=4，AL=0，BL=4（BL为突发数据长度，Burst Length）。我们看到tRRD（从RAS到RAS的延迟）是两个时钟周期，tRCD（从RAS到CAS的延迟）是四个时钟周期，所以ACT（段激活）和CAS信号在第四个时钟周期发生冲突。 , ACT 向后移动一个时钟周期，因此可以看到在后续数据传输中间有一个 BUBBLE 的时钟周期。

让我们看一下Post CAS的操作。此时的存储参数为：tRRD = 2，tRCD = 4，CL = 4，AL = 3，BL = 4。 RAS是在ACT信号之后的一个时钟周期内设置的，因此CAS和ACT不会发生冲突，tRCD被AL取代（实际上，您可以想象tRCD并未减少，但在概念上有所改变，CAS向后退了一个时钟周期，但AL短于tRCD，可以通过调整来消除信号命令的冲突），并且DRAM在附加延迟期间保持读取命令。由于这种设计，ACT和CAS将不再冲突，并且在存储器读取时序中不会出现任何气泡。

1.可以轻松消除命令总线上的碰撞现象
2.提高命令和数据总线的效率
3.没有Bubble，可以提高实际的内存带宽

另外一个普通的DOTHAN FSB是533，也就是说DDR533的内存刚好可以满足内存带宽，但是现在的笔记本DDR1最多只有DDR400，一般333是满足不了DOTHAN的FSB的。这时，内存成为系统的瓶颈。 915平台出来后可以支持DDR2双通道DDR2从400开始到533。

此时，您可能已经发现实际上单通道DDR2 533可以完全满足DOTHAN的FSB，也就是说，DDR2 533具有双通道，只有FSB = 1066 CPU可以匹配它。在INTEL1066FSB U问世之前，DDR2 533双通道基本上是浪费，因此DDR2双通道带给Sonama平台的性能提升很小。 DOTHAN已成为Sonama系统的瓶颈。对性能要求不高的朋友无需在双通道DDR2上花钱。

多远（长）发射机盖？

传输范围取决于许多因素。真正的距离是基于该天线安装高度，天线增益，使用环境像建筑物和其他障碍物，接收机的灵敏度，接收机的天线。安装天线更高，并使用在农村，距离将更为深远。

实例5W FM发射器在城市和家乡使用：

我有GP天线的美国客户使用5W调频发射器在他的家乡，他与汽车进行测试，它涵盖10km（6.21mile）。

我测试与GP天线5W FM发射器在我的家乡，它覆盖约2km（1.24mile）。

我测试在广州市GP天线5W FM发射，它覆盖大约只有300meter（984ft）。

下面是不同的功率调频发射机的大致范围。（范围为直径）

0.1W〜5W FM发射器：100M〜1KM

5W〜15W FM Ttransmitter：1KM〜3KM

15W〜80W FM发射器：3KM〜10KM

80W〜500W FM发射器：10KM〜30KM

500W〜1000W FM发射器：30KM〜50KM

1KW〜2KW FM发射器：50KM〜100KM

2KW〜5KW FM发射器：100KM〜150KM

5KW〜10KW FM发射器：150KM〜200KM

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